光控磁存储革命:中国团队突破下一代内存技术瓶颈
一道激光闪过,纳米磁体的状态瞬间改变——这不再是科幻场景,而是下一代内存技术的真实突破。当计算速度遭遇存储瓶颈,科学家开始向光与磁的量子世界寻求答案。
一道激光闪过,纳米磁体的状态瞬间改变——这不再是科幻场景,而是下一代内存技术的真实突破。当计算速度遭遇存储瓶颈,科学家开始向光与磁的量子世界寻求答案。
超快磁学领域探索如何在万亿分之一秒内利用闪光操控材料的磁化强度。这一过程被称为全光开关 (AOS),只需一个持续时间为几飞秒(约10 -15秒)的激光脉冲,即可翻转微小的磁区,无需外部施加磁场。
韩国科学家成功开发出能够在室温下精确控制电子自旋的磁性纳米螺旋结构,为自旋电子学技术带来突破性进展。这项由高丽大学和首尔国立大学联合完成的研究,首次实现了通过结构手性和磁性的结合来操控电子自旋,无需复杂的磁电路或低温环境即可达到超过80%的自旋极化效果。
第一性原理计算,特别是基于DFT的方法,已经成为预测和解释材料性质的强大工具。在进行这类计算时,必须为所研究的体系指定一个初始的自旋多重度。这个设定直接决定了计算中所求解的电子波函数和能量,对于开壳层体系(含有未成对电子的体系)尤为重要。关键作用与应用:确定基